核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
天津市万德思诺国际贸易有限公司成立于2019年5月17日,公司秉承“引进尖端技术、服务本土客户”的理念,主要代理销售日本及欧美等国第三代半导体领域(碳化硅、氮化镓等)的先进材料和尖端设备,致力于服务国内各大高校、研究单位和半导体行业客户。公司创始人核心团队成员均具有15年以上相关从业经历,特别是在宽禁带半导体行业具有丰富的经验和资源。
自公司成立以来团队开始积极布局和销售第四代半导体领域(氧化镓)的相关材料和设备,不断整合行业技术资源并融合本公司的专业技术和售后团队,竭诚为每一位客户提供优质的全产业化方案以及专业的技术支持和优质的售后服务。
万德思诺致力于成为宽禁带半导体行业设备及材料专业供应商 !
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
资源整合
深耕化合物集宽禁带半导体行业,提供全产业链的材料和设备解决方案。
一站式服务
提供详细的售前技术咨询服务,可安排免费的样品测试。多样化的交易方式,满足不同客户采购要求。提供设备的安装、保养、维修、升级等一站式服务。
专业团队
公司研发人员长期从业于半导体行业,有丰富的设备使用、安装、调试经验,从专业角度为您提供专业服务。
成本优势
从技术方案到生产线运营管理,公司有完整的科学的成本管控方案,从多角度为客户打造最优方案。
通过卤化物气相外延(HVPE)成功生长出了厚度约为 10 μm 的高质量、无丘陵状缺陷的(010)β-Ga2O3 均匀层。
采用 NiO/Ga2O3 异质结和 GAA 结构开发的紫外光电晶体管通过将 p-NiO 用作栅极电介质实现了卓越的性能。
该器件是通过一种新的反向替代生长路线制造的,通过 OPT 在 GaN 表面引入 GaON 成核层,用于 β-Ga2O3 合成。详细分析了成核层对 GaN 在氧气环境下高温转化为 β-Ga2O3 的影响