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西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队：宽禁带半导体器件级热管理技术的新进展：综述
本文深入探讨了当前技术瓶颈、潜在解决方案及未来发展机遇，旨在突破关键散热技术壁垒，推动宽禁带与超宽禁带半导体的深度产业化进程。
2025-07-18 11:28:04
西安理工大学---基于金催化低压化学气相沉积法在4H-SiC衬底上合成并表征β-Ga₂O₃纳米线
采用低压化学气相沉积（LPCVD）法，以金（Au）为催化剂，在 4H-SiC 衬底上合成了 β-Ga2O3 纳米线。
2025-07-18 11:22:56
武汉大学刘胜院士领导的团队---基于极化和应变驱动的Ga₂O₃/ZnO异质结光探测器界面性能的理论研究
在本研究中，采用第一性原理计算方法，对 β-Ga2O3/wurtzite ZnO（w-ZnO）异质结的结构和界面电子特性进行了研究，重点探讨了 w-ZnO 中自发极化方向和应变对异质结性能的影响。
2025-07-11 11:46:58
松山湖材料实验室梅增霞研究员团队---基于Ga₂O₃/GaN梯度异质结的高性能紫外光探测器
由于带隙和能带差异适宜，氧化镓（Ga2O3）/GaN 异质结构是制造高性能 UV PD 的理想材料。
2025-07-11 11:41:12
FLOSFIA 实现全球首例突破，成功攻克氧化镓 p 型层技术难题
FLOSFIA 进一步挑战技术难度更高的 MOSFET 结构的 p 层应用，通过高度改良自有技术，开发出新型 MOS 结构形成工艺，并成功将其集成到器件中。
2025-07-08 17:16:56
南方科技大学于洪宇教授、汪青教授团队---2.86 kV阶梯状双层结构的垂直型Cu₂O/Ga₂O₃异质结二极管
TCAD 仿真结果表明，SDL 结构有效抑制了阳极边缘的峰值电场，并将其转移至器件内部，从而提升了器件耐压能力。
2025-07-08 17:03:00
