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中国科大龙世兵教授团队：MOCVD法在(010)氧化镓衬底上生长的高质量β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃异质外延薄膜及其晶体管演示
本研究通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在 (010) β-Ga2O3 衬底上实现了单相 β-(AlxGa1-x)2O3 的异质外延生长
2025-12-25 13:19:01
ACS Nano丨四川大学向钢教授团队：用于高能效高可靠性模拟型阻变开关与人工突触应用的具有尖锐稳定负微分电阻的Ga₂O₃忆阻器
该忆阻器在已报道器件中展现出创纪录的 NDR 性能指标，包括高达 3.55 的最陡 NDR 斜率，以及长达 103 次循环和 104 s 的耐久性。
2025-12-25 13:18:59
东北师大马剑钢团队：基于β-Ga₂O₃/Au/Cs₂AgBiBr₆异质结的三明治结构高性能深紫外-可见双波段光电探测器
通过将 β-Ga2O3 与全无机双钙钛矿 CABB 在夹层结构中集成，成功开发出深紫外-可见光双波段光探测器。
2025-12-18 16:57:56
西电郝跃院士、张进成教授、周弘教授团队：采用金属-介质层-半导体结构与台面终端技术的高性能β-Ga₂O₃垂直二极管
本研究报道了基于 β-Ga2O3 的高性能金属-介质层-半导体（MIS）二极管，其特点是采用阳极自对准台面终端结构，并引入超薄 NiO 作为介质层。
2025-12-18 16:58:04
冷坩埚条件下的β-Ga₂O₃晶体生长：基于冷坩埚法的大规模氧化物晶体生长
成果表明冷坩埚氧化物晶体生长技术作为可扩展、无污染且经济高效的大尺寸 β-Ga2O3 晶体制备方法，将显著提升其在电力电子领域的应用潜力。
2025-12-18 16:58:04
嘉应学院&深信大&台州学院&中山大学裴艳丽教授团队：氧空位在κ-Ga₂O₃电子与光学性质中的作用
研究结果表明，氧空位在带隙中引入了深施主能级，显著影响了 κ-Ga2O3 的电子结构与电荷动力学行为。
2025-12-18 16:58:02
