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杭州富加镓业参与国家重点攻关“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目启动
9月4日，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目启动会在杭州富阳顺利召开。
2023-09-14 21:45:57
氧化镓龙头企业Novel Crystal Technology的发展规划
近日，Novel Crystal Technology（简称：NCT）接受了《Easy Engineering》的采访，亚洲氧化镓联盟将访谈内容进行了整理，以下是访谈内容及NCT的介绍。
2023-09-14 21:41:23
NCT的新研究——氮掺杂β-Ga₂O₃垂直晶体管，阈值电压≥1.3V，通道迁移率为100cm²V⁻¹s⁻¹
使用卤化物气相外延生长的氮掺杂β-Ga2O3高电阻层，展示了高性能的常关multi-fin β-Ga2O3垂直晶体管，其fin宽度为1.0至2.0μm。
2023-07-11 19:17:31
郝跃院士、马晓华教授团队在《Applied Physics Letters》发表氧化镓功率器件研究成果
随着电力电子技术在汽车电子、医疗器械、航空航天等领域的应用越来越广泛，宽禁带半导体材料与器件的研究和发展也进入了加速阶段。
2023-07-11 19:00:53
