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南京大学叶建东教授团队：MOCVD生长β氧化镓 (001) 同质外延层中非故意Si掺杂的主导机制：竞争性表面吸附
本研究考察了 VI/III 摩尔比和生长速率对 (001) 取向 β-Ga2O3 UID 同质外延层中残余 Si 杂质和净施主浓度的影响
2025-12-04 11:17:03
天津理工大学赵金石教授团队:低温HVPE法MgO异质衬底β-Ga₂O₃薄膜制备及其日盲紫外成像探测器阵列应用研究
本研究采用卤化物气相外延（HVPE）技术，在 MgO（100）衬底上成功异质外延生长高质量 β-Ga2O3 薄膜，并基于该薄膜制备高灵敏度太阳盲紫外光电探测器（SBUVPD）及 5×4 阵列器件。
2025-12-04 11:09:21
Novel Crystal Technology 氧化镓外延新产品推介
NCT特别推出一款小尺寸的氧化镓厚膜外延片，该产品承袭大尺寸外延成熟工艺，采用 HVPE 技术生长，具备高纯度、高均匀性优势，厚度达 10 微米、尺寸为 10mm×12mm。
2025-11-27 14:32:05
氧化镓射频器件研究突破！西电郝跃院士、张进成教授、周弘教授团队：超宽禁带半导体在射频功率器件中的异质集成
集成方法结合了剥离转移和晶圆级键合，避免了许多传统方法中所需的离子注入和界面氧化层，同时实现了阵列薄膜几何尺寸的均匀性，并可将总面积扩展至晶圆级。
2025-11-27 14:21:11
北京邮电大学吴真平教授团队：采用HfO₂绝缘层的氧化镓MISM光电二极管阵列实现20 fA超低暗电流日盲成像
本文展示了一种高性能的基于 Ga2O3 的 MISM 光控二极管（MISM PCD），其集成了超薄 HfO2 绝缘层，实现了超低暗电流（5 V 下约 20 fA）和优异的光响应度（2188 A/W）。
2025-11-27 14:22:48
瑞典林雪平大学：Mn掺杂β-Ga₂O₃的红色光致发光：Mn³⁺离子的光学特征
通过结合磁光光致发光光谱与时间分辨光致发光测量，确定了主导 710 nm 发光的中心电子结构
2025-11-27 14:24:29
